2014-01-16 High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4555 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching time Short switching time Applications Anwendungen Infrared Illumination for cameras Infrarotbeleuchtung fr Kameras Sensor technology Sensorik Data transmission Datenbertragung Notes Hinweise Depending on the mode of operation, these devices Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile emit highly concentrated non visible infrared light hochkonzentrierte, nicht sichtbare which can be hazardous to the human eye. Products Infrarot-Strahlung, die gefhrlich fr das which incorporate these devices have to follow the menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC Bauteile enthalten, mssen gem den 62471. Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471 behandelt werden. Ordering Information Bestellinformation Type: Radiant Intensity Ordering Code Typ: Strahlstrke Bestellnummer I = 100 mA, t = 20 ms F p I mW/sr e SFH 4555 550 ( 160) Q65110A7341 Note: Measured at a solid angle of = 0.001 sr Anm.: Gemessen bei einem Raumwinkel = 0.001 sr 2014-01-16 1Version 1.1 / acc. to OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4555 Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operation and storage temperature range T T -40 ... 100 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V 5V R Sperrspannung Forward current I 100 mA F Durchlassstrom Surge current I 1A FSM Stostrom (t 100 s, D = 0) p Total power dissipation P 180 mW tot Verlustleistung ESD withstand voltage V 2kV ESD ESD Festigkeit (acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-001 - HBM) 1) page 10 Thermal resistance junction - ambient R 450 K / W thJA Wrmewiderstand Sperrschicht - Umgebung 1) Seite 10 Characteristics (T = 25 C) A Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Emission wavelength (typ) 860 nm peak Zentrale Emissionswellenlnge (I = 100 mA, t = 20 ms) F p Centroid Wavelength (typ) 850 nm centroid Schwerpunktwellenlnge der Strahlung (I = 100 mA, t = 20 ms) F p Spectral bandwidth at 50% of I (typ) 30 nm max Spektrale Bandbreite bei 50% von I max (I = 100 mA, t = 20 ms) F p Half angle (typ) 5 Halbwinkel 2 Active chip area (typ) A 0.09 mm Aktive Chipflche 2014-01-16 2