PZTA42 Diotec

W E E E S H PZTA42 PZTA44 PZTA42 PZTA44 I = 500 300 mA V = 300 400 V C CEO h > 40 50 P = 1.5 W FE1 tot SMD High Voltage NPN Transistors Tjmax = 150C SMD Hochspannungs-NPN-Transistoren Version 2021-08-31 SOT-223 Typical Applications Typische Anwendungen Signal processing Signalverarbeitung Switching Schalten 4 Amplification Verstrken Commercial grade Standardausfhrung 1 1 Suffix -Q: AEC-Q101 compliant ) Suffix -Q: AEC-Q101 konform ) 1 1 1 Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification ) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation ) 2 Features Besonderheiten 3 High collector-emitter voltage Hohe Kollektor-Emitter-Spannung High power dissipation Hohe Leistungsfhigkeit Compliant to RoHS (w/o exemp.), Konform zu RoHS (ohne Ausn.), Pb 1 1 REACH, Conflict Minerals ) REACH, Konfliktmineralien ) 1 1 1 SPICE Model STEP File ) Mechanical Data ) Mechanische Daten ) Taped and reeled 4000 / 13 Gegurtet auf Rolle Weight approx. 0.2 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehusematerial Solder & assembly conditions 260C/10s Lt- und Einbaubedingungen Marking Code MSL = 1 Type / Typ HS Code 85412100 Type Recommended complementary PNP transistors Code Empfohlene komplementre PNP-Transistoren PZTA42 = 42M PZTA92 PZTA44 = tbd PZTA94 2 2 Maximum ratings ) Grenzwerte ) PZTA42 PZTA44 Collector-Emitter-voltage - Kollektor-Emitter-Spannung B open V 300 V 400 V CEO Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung E open V 300 V 400 V CBO Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung C open V 6 V EBO 3 Power dissipation Verlustleistung Ptot 1.5 W ) Collector current Kollektorstrom DC I 500 mA 300 mA C Junction temperature Sperrschichttemperatur T -55...+150C j Storage temperature Lagerungstemperatur T -55+150C S 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 T = 25C unless otherwise specified T = 25C wenn nicht anders angegeben A A 2 2 3 Mounted on PCB with 600 mm copper pad at terminal 4 Montage auf Leiterplatte mit 600 mm Ltpad an Anschluss 4 Diotec Semiconductor AG PZTA42 PZTA44 Characteristics Kennwerte T = 25C PZTA42 PZTA44 j 1 Collector saturation voltage Kollektor-Sttigungsspannung ) I = 1 mA I = 0.1 mA < 400 mV C B I = 10 mA I = 1 mA < 500 mV C B V CEsat IC = 20 mA IB = 2 mA < 500 mV I = 50 mA I = 5 mA < 750 mV C B Collector-Base cutoff current Kollektorreststrom I = 0 V = 200 V < 20 nA E CB I CBO V = 400 V < 100 nA CB Emitter-Base cutoff current Emitterreststrom I = 0 V = 6 V < 100 nA B EB I EBO V = 4 V < 100 nA EB 1 Base saturation voltage Basis-Sttigungsspannung ) I = 20 mA I = 2 mA < 900 mV C B VBEsat I = 10 mA I = 1 mA < 750 mV C B DC current gain Kollektor-Basis-Stromverhltnis V = 10 V I = 1 mA > 25 > 40 CE C I = 10 mA > 40 50 ... 200 C I = 30 mA h > 40 C FE IC = 50 mA > 100 > 45 I = 100 mA > 40 C Gain-Bandwidth Product Transitfrequenz V = 20 V, I = 10 mA, f = 100 MHz f > 50 MHz CE C T Collector-Base Capacitance Kollektor-Basis-Kapazitt VCB = 20 V, IE = ie = 0, f = 1 MHz CCBO < 3 pF < 7 pF Typical thermal resistance junction ambient 1 R 83.3 K/W ) thA Typischer Wrmewiderstand Sperrschicht Umgebung Dimensions - Mae mm 120 % 100 80 60 40 20 P tot 0 0 T 50 100 150 C A 1 Power dissipation versus ambient temperature ) 1 Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. ) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Tested with pulses tp = 300 s, duty cycle 2% Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhltnis 2% 2 1 Mounted on PCB with 600 mm copper pad at terminal 4 Montage auf Leiterplatte mit 600 mm Ltpad an Anschluss 4 2