Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D5810N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / maximum rated values Kenndaten V 400 V Periodische Spitzensperrspannung T = -40C... T RRM vj vj max 600 V repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Durchlastrom-Grenzeffektivwert I 9100 A FRMSM maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom T = 58 C I 5800 A C FAVM average on-state current T = 130 C 3000 A C 5880 A Dauergrenzstrom T = 55 C, = 180sin, t = 10 ms I C P FAVM average on-state current 9240 A Durchlastrom-Effektivwert I FRMS RMS on-state current Stostrom-Grenzwert T = 25 C, t = 10 ms I 81000 A vj P FSM surge current T = T t = 10 ms 70000 A vj vj max P Grenzlastintegral T = 25 C, t = 10 ms It 32800 10As vj P It-value T = T , t = 10 ms 24500 10As vj vj max P Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung T = T , i = 18,0 kA v max. 1,47 V vj vj max F F on-state voltage T = T , i = 6,0 kA max. 0,92 V vj vj max F Schleusenspannung T = T V 0,7 V vj vj max (TO) threshold voltage m Ersatzw iderstand T = T r 0,04 vj vj max T slope resistance T = T A= 4,617E-01 Durchlakennlinie 1500 A i 29000 A vj vj max F B= 2,002E-05 on-state characteristic C= 7,441E-03 v = A + B i + C ln ( i + 1 ) + D i F D= 4,190E-03 F F F Sperrstrom T = T , v = V i max. 100 mA vj vj max R RRM R Thermische Eigenschaften reverse current Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wrmewiderstand Khlflche / cooling surface R thJC beidseitig / two-sided, = 180sin max. 0,0166 C/W thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, DC max. 0,0160 C/W Anode / anode, = 180sin max. 0,0326 C/W Anode / anode, DC max. 0,0320 C/W Kathode / cathode, = 180sin max. 0,0326 C/W Kathode / cathode, DC max. 0,0320 C/W bergangs-Wrmewiderstand Khlflche / cooling surface R thCH beidseitig / two-sided max. 0,0025 C/W thermal resistance, case to heatsink max. 0,0050 C/W einseitig / single-sided 180 Hchstzulssige Sperrschichttemperatur T C vj max maximum junction temperature Betriebstemperatur T -40...+180C c op operating temperature T -40...+180C Lagertemperatur stg storage temperature H.Sandmann date of publication: 2009-05-13 prepared by: approved by: M.Leifeld revision: 1.0 IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann A 57/08 Seite/page 1/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D5810N Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Seite 3 Gehuse, siehe Anlage Mechanische Eigenschaften page 3 case, see annex Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anprekraft F 30...60kN clamping force Gewicht G typ. 530g weight Kriechstrecke 25mm creepage distance Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s vibration resistance Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann A 57/08 Seite/page 2/8