Datenblatt / Data sheet N Vorlufige Daten Netz-Dioden-Modul Preliminary data Rectifier Diode Module DD160N DD160N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kenndaten Hchstzulssige Werte / Maximum rated values 2200 V Elektrische Eigenschaften Periodische Spitzensperrspannung T = -40C... T V vj vj max RRM repetitive peak reverse voltages Thermische Eigenschaften 2300V Stospitzensperrspannung T = +25C... T V vj vj max RSM non-repetitive peak reverse voltage 270 A Durchlastrom-Grenzeffektivwert I FRMSM maximum RMS on-state current 160 A Dauergrenzstrom T = 100C I C FAVM 172 A average on-state current T = 95 C C 5.300 A Stostrom-Grenzwert T = 25 C, t = 10 ms I vj P FSM 4.600 A surge current T = T , t = 10 ms vj vj max P 140.500 As Grenzlastintegral T = 25 C, t = 10 ms It vj P 105.800 As It-value T = T , t = 10 ms vj vj max P Charakteristische Werte / Characteristic values max. 1,40 V Durchlaspannung T = T , i = 500 A v vj vj max F F on-state voltage 0,8V Schleusenspannung T = T V vj vj max (TO) threshold voltage 1,0 m Ersatzwiderstand T = T r vj vj max T slope resistance max. Sperrstrom T = T , v = V i 20 mA vj vj max R RRM R reverse current Isolations-Prfspannung RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec V 3,0 kV ISOL insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min 2,5 kV Thermische Eigenschaften / Thermal properties pro Modul / per Module, = 180 sin R max. 0,130 C/W Innerer Wrmewiderstand thJC pro Zweig / per arm, = 180 sin max. 0,260 C/W thermal resistance, junction to case pro Modul / per Module, DC max. 0,126 C/W pro Zweig / per arm, DC max. 0,252 C/W pro Modul / per Module max. 0,03 C/W bergangs-Wrmewiderstand R thCH pro Zweig / per arm max. 0,06 C/W thermal resistance, case to heatsink 150 Hchstzulssige Sperrschichttemperatur T C vj max maximum junction temperature Betriebstemperatur T - 40...+150 C c op operating temperature T - 40...+150C Lagertemperatur stg storage temperature prepared by: C. Drilling date of publication: 11.02.2009 approved by: M. Leifeld revision: 1 DAEC / 09-02-11, C. Drilling A 01/09 Seite/page 1/10 Datenblatt / Data sheet N Vorlufige Daten Netz-Dioden-Modul Preliminary data Rectifier Diode Module DD160N Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehuse, siehe Anlage Seite 3 case, see annex page 3 Si-Element mit Druckkontakt Mechanische Eigenschaften Si-pellet with pressure contact Innere Isolation AlN internal insulation Anzugsdrehmoment fr mechanische Anschlsse Toleranz 15% M1 6 Nm mounting torque Anzugsdrehmoment fr elektrische Anschlsse Toleranz 10% M2 6 Nm terminal connection torque Gewicht G typ. 310g weight Kriechstrecke 15mm creepage distance Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s vibration resistance file-No. E 83335 Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. DAEC / 09-02-11, C. Drilling A 01/09 Seite/page 2/10