Datenblatt / Data sheet N Netz-Dioden-Modul DD171N Rectifier Diode Module DD171N DD171N..K..-A DD171N..K..-K ND171N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kenndaten Hchstzulssige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften 1200 1400 V Periodische Spitzensperrspannung T = -40C... T V vj vj max RRM 1600 1800 V repetitive peak reverse voltages Thermische Eigenschaften 1300 1500 V Stospitzensperrspannung T = +25C... T V vj vj max RSM 1700 1900 V non-repetitive peak reverse voltage 270 A Durchlastrom-Grenzeffektivwert I FRMSM maximum RMS on-state current 171 A Dauergrenzstrom T = 100C I C FAVM average on-state current 6.600 A Stostrom-Grenzwert T = 25 C, t = 10 ms I vj P FSM 5.600 A surge current T = T , t = 10 ms vj vj max P 218.000 As Grenzlastintegral T = 25 C, t = 10 ms It vj P 157.000 As It-value T = T , t = 10 ms vj vj max P Charakteristische Werte / Characteristic values max. 1,26 V Durchlaspannung T = T , i = 500 A v vj vj max F F on-state voltage 0,75 V Schleusenspannung T = T V vj vj max (TO) threshold voltage 0,8 m Ersatzwiderstand T = T r vj vj max T slope resistance max. Sperrstrom T = T , v = V i 20 mA vj vj max R RRM R reverse current Isolations-Prfspannung RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec V 3,0 kV ISOL insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min 2,5 kV Thermische Eigenschaften / Thermal properties pro Modul / per Module, = 180 sin R max. 0,130 C/W Innerer Wrmewiderstand thJC pro Zweig / per arm, = 180 sin max. 0,260 C/W thermal resistance, junction to case pro Modul / per Module, DC max. 0,126 C/W pro Zweig / per arm, DC max. 0,252 C/W pro Modul / per Module max. 0,03 C/W bergangs-Wrmewiderstand R thCH pro Zweig / per arm max. 0,06 C/W thermal resistance, case to heatsink 150 Hchstzulssige Sperrschichttemperatur T C vj max maximum junction temperature Betriebstemperatur T - 40...+150 C c op operating temperature T - 40...+150 C Lagertemperatur stg storage temperature prepared by: M.Stelte date of publication: 2011-03-01 approved by: M.Leifeld revision: 3.0 IFBIP D AEC / 2011-03-01, M.Stelte A 13/11 Seite/page 1/9 Datenblatt / Data sheet N Netz-Dioden-Modul DD171N Rectifier Diode Module Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehuse, siehe Anlage Seite 3 case, see annex page 3 Si-Element mit Druckkontakt Mechanische Eigenschaften Si-pellet with pressure contact Innere Isolation AlN internal insulation Anzugsdrehmoment fr mechanische Anschlsse Toleranz 15% M1 6 Nm mounting torque Anzugsdrehmoment fr elektrische Anschlsse Toleranz 10% M2 6 Nm terminal connection torque Gewicht G typ. 310 g weight Kriechstrecke 15 mm creepage distance Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s vibration resistance file-No. E 83336 Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC / 2011-03-01, M.Stelte A 13/11 Seite/page 2/9