Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 100 N 16 RR Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / Maximum rated values Netz-Diode / Rectifier diode Periodische Spitzensperrspannung T = - 40C...T V 1600 V vj vj max RRM repetitive peak reverse voltage Durchlastrom-Grenzeffektivwert (pro Element) I 60 A FRMSM RMS forward current (per chip) T = 100C Ausgangsstrom I 100 A C d output current T = 97C 104 A C Stostrom-Grenzwert T = 25C, t = 10ms I 650 A vj p FSM T = T , t = 10ms surge forward current vj vj max p 550 A Grenzlastintegral T = 25C, t = 10ms It 2100 As vj p It-value T = T , t = 10ms 1500 As vj vj max p IGBT Kollektor-Emitter-Sperrspannung V 1200 V CES collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom I 50 A C DC-collector current Periodischer Kollektor-Spitzenstrom t = 1ms I 100 A p CRM repetitive peak collektor current Gesamt-Verlustleistung T = 25C P 350 W C tot total power dissipation Gate-Emitter Spitzenspannung V 20 V GE gate-emitter peak voltage Schnelle Diode / Fast diode Dauergleichstrom I 25 A F DC forward current Periodischer Spitzenstrom t = 1ms I 50 A p FRM repetitive peak forward current Modul Isolations-Prfspannung RMS, f = 50Hz, t = 1min V 2,5 kV ISOL insulation test voltage Charakteristische Werte / Characteristic values Netz-Diode / Rectifier diode min. typ. max. T = T , i = 100A Durchlaspannung v 1,55 V vj vj max F F forward voltage Schleusenspannung T = T V 0,75 V vj vj max (TO) threshold voltage T = T m Ersatzwiderstand vj vj max r 5,5 T forward slope resistance Sperrstrom T = T v V i 5mA vj vj max, R = RRM R reverse current IGBT Kollektor-Emitter Sttigungsspannung T = 25C, i = 50A, v = 20V v 2,5 3,2 V vj C GE CE sat T = 125C, i = 50A, v = 20V collector-emitter saturation voltage 3,1 vj C GE T = 25C, i = 2mA, v = v Gate-Emitter-Schwellspannung v 4,5 5,5 6,5 V vj C GE CE GE(TO) gate-emitter threshold voltage BIP PPE 4 rev.2 A 16/05 Seite/page 1(3) 27. Okt 05 Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 100 N 16 RR IGBT min. typ. max. Eingangskapazitt T = 25C, f = 1MHz, C 3,3 nF vj 0 ies input capacitance v = 25V, v = 0V CE GE T = 25C, v = 1200V, v = 0V Kollektor-Emitter Reststrom i 0,8 1 mA vj CE GE CES collector-emitter cut-off current T = 125C, v = 1200V, v = 0V 4,0 vj CE GE Gate-Emitter Reststrom T = 25C, v = 0V, v = 20V i 500 nA vj CE GE GES gate leakage current Emitter-Gate Reststrom T = 25C, v = 0V, v = 20V i 500 nA vj CE EG EGS gate-leakage current Schnelle Diode / Fast diode T = 25C, i = 25A Durchlaspannung v 2,3 2,9 V vj F F forward voltage T = 125C, i = 25A 1,8 vj F Sperrverzgerungsladung i = 25A, -di/dt = 800A/s, v = 600V Q FM R r T = 25C recovered charge 2,3 As vj T = 125C 6,0 As vj Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wrmewiderstand Netz-Diode / Rectifier diode, = 120rect R max. 1,15 C/W thJC thermal resistance, junction to case Transistor / Transistor, DC max. 0,38 C/W Schnelle Diode / Fast diode, DC max. 1,00 C/W bergangs-Wrmewiderstand Netz-Diode / Rectifier diode R max. 0,25 C/W thCK thermal resistance, case to heatsink Transistor / Transistor max. 0,24 C/W Schnelle Diode / Fast diode max. 0,30 C/W Hchstzulssige Sperrschichttemperatur T 150 C vj max max. junction temperature Betriebstemperatur T - 40...+150 C c op operating temperature Lagertemperatur T - 40...+150 C stg storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehuse, siehe Anlage Seite 3 case, see appendix page 3 Innere Isolation Al O 2 3 internal insulation Anzugsdrehmoment fr mechanische Befestigung Toleranz / tolerance 15% M1 4 Nm mounting torque Gewicht G typ. 185 g weight Kriechstrecke 12,5 mm creepage distance Khlkrper / heatsinks : BIP PPE 4 rev.2 Seite/page 2(3) 27. Okt 05