Technische Information / Technical Information Netz-Dioden-Modul DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK) NB6 Rectifier Diode Module Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / Maximum rated values T = - 40C...T V Periodische Spitzensperrspannung vj vj max 1200, 1400 V RRM repetitive peak reverse voltage 1600, 1800 V T = + 25C...T Stospitzensperrspannung V 1300, 1500 V vj vj max RSM non-repetitive peak reverse voltage 1700, 1900 V Durchlastrom-Grenzeffektivwert (pro Element) I 125 A FRMSM RMS forward current (per chip) T = 110C I Ausgangsstrom C 215 A d T = 45C, KM 11 output current A 93 A T = 45C, KM 33 A 127 A T = 35C, KM 14 (V = 45l/s) A L 215 A T = 35C, KM 33 (V = 90l/s) 215 A A L T = 25C, t = 10ms Stostrom-Grenzwert I 2200 A vj S FSM surge forward current T = T , t = 10ms 1950 A vj vj max p Grenzlastintegral T = 25C, t = 10ms It 24200 As vj S T = T , t = 10ms It-value vj vj max p 19000 As Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung T = T , i = 300A v max. 1,61 V vj vj max F F forward voltage T = T V Schleusenspannung vj vj max 0,75 V (TO) threshold voltage T = T Ersatzwiderstand r 1,6 m vj vj max T forward slope resistance Sperrstrom T = T v V i max. 10 mA vj vj max, R = RRM R reverse current RMS, f = 50Hz, t = 1min V Isolations-Prfspannung 3,0 kV ISOL RMS, f = 50Hz, t = 1sec insulation test voltage 3,6 kV Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wrmewiderstand pro Modul / per module, = 120rect R max. 0,082 C/W thJC thermal resistance, junction to case pro Element / per chip, = 120rect max. 0,490 C/W pro Modul / per module, DC max. 0,065 C/W pro Element / per chip, DC max. 0,390 C/W bergangs-Wrmewiderstand pro Modul / per module R max. 0,033 C/W thCK thermal resistance, case to heatsink pro Element / per chip max. 0,200 C/W Hchstzulssige Sperrschichttemperatur T 150 C vj max max. junction temperature T Betriebstemperatur - 40...+150 C c op operating temperature Lagertemperatur T - 40...+150 C stg storage temperature MOD-E1 R. Jrke 09. Feb 99 A /99 Seite/page 1(7)Technische Information / Technical Information Netz-Dioden-Modul DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK) NB6 Rectifier Diode Module Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehuse, siehe Anlage Seite 3 case, see appendix page 3 Si-Elemente mit Ltkontakt, glaspassiviert Si-pellets with soldered contact, glass-passivated Innere Isolation Al O 2 3 internal insulation Toleranz / tolerance 15% Anzugsdrehmoment fr mechanische Befestigung M1 6 Nm mounting torque Anzugsdrehmoment fr elektrische Anschlsse Toleranz / tolerance +5% / -10% M2 6 Nm terminal connection torque Gewicht G 300 g typ. weight Kriechstrecke 12,5 mm creepage distance Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s vibration resistance Khlkrper / heatsinks : KM 11 KM 14 KM 17 KM 33 Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. MOD-E1 R. Jrke 09. Feb 99 Seite/page 2(7)