Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor-Modul TT180N Phase Control Thyristor Module TT180N TD180N Kenndaten Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Elektrische Eigenschaften Hchstzulssige Werte / Maximum rated values 1200 1400 V Periodische Vorwrts- und Rckwrts-Spitzensperrspannung T = -40C... T V ,V vj vj max DRM RRM 1600 V repetitive peak forward off-state and reverse voltages 1200 1400 V Vorwrts-Stospitzensperrspannung T = -40C... T V vj vj max DSM 1600 V non-repetitive peak forward off-state voltage 1300 1500 V Rckwrts-Stospitzensperrspannung T = +25C... T V vj vj max RSM 1700 V non-repetitive peak reverse voltage 285 A Durchlastrom-Grenzeffektivwert I TRMSM maximum RMS on-state current 180 A Dauergrenzstrom T = 85C I C TAVM average on-state current 4800 A Stostrom-Grenzwert T = 25 C, t = 10 ms I vj P TSM 4100 A surge current T = T , t = 10 ms vj vj max P 115000 As Grenzlastintegral T = 25 C, t = 10 ms It vj P 84000 As It-value T = T , t = 10 ms vj vj max P DIN IEC 747-6 f = 50 Hz, 150 A/s Kritische Stromsteilheit (di /dt) T cr i = 0,6 A, di /dt = 0,6 A/s GM G critical rate of rise of on-state current Kritische Spannungssteilheit T = T , v = 0,67 V (dv /dt) vj vj max D DRM D cr th 1000 V/s critical rate of rise of off-state voltage 6.Kennbuchstabe / 6 letter F Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung T = T , i = 500 A v max. 1,41 V vj vj max T T on-state voltage Schleusenspannung T = T V 0,85 V vj vj max (TO) threshold voltage Ersatzwiderstand T = T r 0,9 m vj vj max T slope resistance Zndstrom T = 25C, v = 6 V I max. 150 mA vj D GT gate trigger current Zndspannung T = 25C, v = 6 V V max. 2V vj D GT gate trigger voltage Nicht zndender Steuerstrom T = T , v = 6 V I max. 10 mA vj vj max D GD max. gate non-trigger current T = T , v = 0,5 V 5 mA vj vj max D DRM Nicht zndende Steuerspannung T = T , v = 0,5 V V max. 0,25 V vj vj max D DRM GD gate non-trigger voltage Haltestrom T = 25C, v = 6 V, R = 5 I max. 200 mA vj D A H holding current Einraststrom T = 25C, v = 6 V, R 10 I max. 800 mA vj D GK L latching current i = 0,6 A, di /dt = 0,6 A/s, GM G t = 20 s g Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom T = T i , i max. 50 mA vj vj max D R forward off-state and reverse current v = V , v = V D DRM R RRM Zndverzug DIN IEC 747-6 T = 25 C, t max. 3 s vj gd gate controlled delay time i = 0,6 A, di /dt = 0,6 A/s GM G prepared by: C.Drilling date of publication: 05.08.02 approved by: J. Novotny revision: 2 BIP AC / 05.08.02 C. Drilling A10/02 Seite/page 1/12Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor-Modul TT180N Phase Control Thyristor Module Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit T = T , i = I t vj vj max TM TAVM q circuit commutated turn-off time v = 100 V, v = 0,67 V RM DM DRM dv /dt = 20 V/s, -di /dt = 10 A/s D T th 5.Kennbuchstabe / 5 letter O typ. 200 s Isolations-Prfspannung RMS, f = 50 Hz, t = 1 min V 2,5 kV ISOL insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec kV 3,0 Thermische Eigenschaften / Thermal properties Thermische Eigenschaften pro Modul / per Module, = 180 sin R max. 0,100 C/W Innerer Wrmewiderstand thJC pro Zweig / per arm, = 180 sin max. 0,200 C/W thermal resistance, junction to case pro Modul / per Module, DC max. 0,096 C/W pro Zweig / per arm, DC max. 0,192 C/W pro Modul / per Module max. 0,03 C/W bergangs-Wrmewiderstand R thCH max. 0,06 pro Zweig / per arm C/W thermal resistance, case to heatsink 130 C Hchstzulssige Sperrschichttemperatur T vj max maximum junction temperature Betriebstemperatur T -40...+130 C c op operating temperature Lagertemperatur T -40...+130 C stg storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Mechanische Eigenschaften Gehuse, siehe Anlage Seite 3 case, see annex page 3 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Innere Isolation AlN internal insulation Anzugsdrehmoment fr mechanische Anschlsse Toleranz / Tolerance 15% M1 6 Nm mounting torque Anzugsdrehmoment fr elektrische Anschlsse Toleranz / Tolerance 10% M2 6 Nm terminal connection torque Steueranschlsse DIN 46 244 A 2,8 x 0,8 control terminals Gewicht G typ. 310 g weight Kriechstrecke 15 mm creepage distance Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s vibration resistance file-No. E 83336 Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BIP AC / 05.08.02 C. Drilling A10/02 Seite/page 2/12