Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor-Modul TZ430N Phase Control Thyristor Module TZ430N Kenndaten Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Elektrische Eigenschaften Hchstzulssige Werte / Maximum rated values 1800 2000 V Periodische Vorwrts- und Rckwrts-Spitzensperrspannung T = -40C... T V ,V vj vj max DRM RRM 1) 2200 2400 V repetitive peak forward off-state and reverse voltages 1800 2000 V Vorwrts-Stospitzensperrspannung T = -40C... T V vj vj max DSM 2200 2400 V non-repetitive peak forward off-state voltage 1900 2100 V Rckwrts-Stospitzensperrspannung T = +25C... T V vj vj max RSM 2300 2500 V non-repetitive peak reverse voltage 1050 A Durchlastrom-Grenzeffektivwert I TRMSM maximum RMS on-state current 430 A Dauergrenzstrom T = 85C I C TAVM 669 A average on-state current T = 51C C 14000 A Stostrom-Grenzwert T = 25 C, t = 10 ms I vj P TSM 12000 A surge current T = T , t = 10 ms vj vj max P 980000 As Grenzlastintegral T = 25 C, t = 10 ms It vj P 720000 As It-value T = T , t = 10 ms vj vj max P DIN IEC 747-6 150 A/s Kritische Stromsteilheit (di /dt) T cr f = 50 Hz, i = 1 A, di /dt = 1 A/s GM G critical rate of rise of on-state current Kritische Spannungssteilheit T = T , v = 0,67 V (dv /dt) vj vj max D DRM D cr th 500 V/s critical rate of rise of off-state voltage 6.Kennbuchstabe / 6 letter C th 1000 V/s 6.Kennbuchstabe / 6 letter F Charakteristische Werte / Characteristic values 1,78 V Durchlaspannung T = T , i = 1500 A v max. vj vj max T T on-state voltage 0,95V Schleusenspannung T = T V vj vj max (TO) threshold voltage 0,45 m Ersatzwiderstand T = T r vj vj max T slope resistance Zndstrom T = 25C, v = 6 V I max. 250 mA vj D GT gate trigger current Zndspannung T = 25C, v = 6 V V max. 2,2 V vj D GT gate trigger voltage Nicht zndender Steuerstrom T = T , v = 6 V I max. 10 mA vj vj max D GD max. gate non-trigger current T = T , v = 0,5 V 5 mA vj vj max D DRM Nicht zndende Steuerspannung T = T , v = 0,5 V V max. 0,25V vj vj max D DRM GD gate non-trigger voltage Haltestrom T = 25C, v = 6 V, R = 5 I max. 300mA vj D A H holding current Einraststrom T = 25C, v = 6 V, R 10 I max. 1500mA vj D GK L latching current i = 1 A, di /dt = 1 A/s, t = 20 s GM G g Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom T = T i , i max. 100mA vj vj max D R forward off-state and reverse current v = V , v = V D DRM R RRM Zndverzug DIN IEC 747-6 t max. 4s gd gate controlled delay time T = 25 C,i = 1 A, di /dt = 1 A/s vj GM G 1) 2400 auf Anfrage / 2400V on request C.Drilling date of publication: 11.03.04 prepared by: revision: 2 approved by: M. Leifeld BIP AC / 2004-03-11 C. Drilling A 10/04 Seite/page 1/12 Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor-Modul TZ430N Phase Control Thyristor Module Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit T = T , i = I t vj vj max TM TAVM q circuit commutated turn-off time v = 100 V, v = 0,67 V RM DM DRM dv /dt = 20 V/s, -di /dt = 10 A/s D T th 5.Kennbuchstabe / 5 letter O typ. 300 s Isolations-Prfspannung RMS, f = 50 Hz, t = 1 min V 3,0 kV ISOL insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec kV 3,6 Thermische Eigenschaften / Thermal properties Thermische Eigenschaften Innerer Wrmewiderstand pro Modul / per Module, = 180 sin R max. 0,065 C/W thJC pro Modul / per Module, DC max. 0,062 C/W thermal resistance, junction to case pro Modul / per Module max. 0,02 C/W bergangs-Wrmewiderstand R thCH thermal resistance, case to heatsink 125 C Hchstzulssige Sperrschichttemperatur T vj max maximum junction temperature Betriebstemperatur T -40...+125C c op operating temp erature Lagertemperatur T -40...+130 C stg storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Mechanische Eigenschaften Gehuse, siehe Anlage Seite 3 case, see annex page 3 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Innere Isolation AlN internal insulation Anzugsdrehmoment fr mechanische Anschlsse Toleranz / Tolerance 15% M1 5 Nm mounting torque Anzugsdrehmoment fr elektrische Anschlsse Toleranz / Tolerance 10% M2 12 Nm terminal connection torque Steueranschlsse DIN 46 244 A 2,8 x 0,8 control terminals Gewicht G typ. 900g weight Kriechstrecke 15mm creepage distance Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s vibration resistance file-No. E 83336 Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BIP AC / 2004-03-11 C. Drilling A 10/04 Seite/page 2/12