Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor-Modul TZ500N Phase Control Thyristor Module TZ500N Kenndaten Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Elektrische Eigenschaften Hchstzulssige Werte / Maximum rated values 1200 1400 V Periodische Vorwrts- und Rckwrts-Spitzensperrspannung T = -40C... T V ,V vj vj max DRM RRM 1600 1800 V repetitive peak forward off-state and reverse voltages 1200 1400 V Vorwrts-Stospitzensperrspannung T = -40C... T V vj vj max DSM 1600 1800 V non-repetitive peak forward off-state voltage 1300 1500 V Rckwrts-Stospitzensperrspannung T = +25C... T V vj vj max RSM 1700 1900 V non-repetitive peak reverse voltage 1050 A Durchlastrom-Grenzeffektivwert I TRMSM maximum RMS on-state current 500 A Dauergrenzstrom T = 85C I C TAVM 669 A average on-state current T = 66C C 17.000 A Stostrom-Grenzwert T = 25 C, t = 10 ms I vj P TSM 14.500 A surge current T = T , t = 10 ms vj vj max P 1.445.000 As Grenzlastintegral T = 25 C, t = 10 ms It vj P 1.051.000 As It-value T = T , t = 10 ms vj vj max P DIN IEC 747-6 200 A/s Kritische Stromsteilheit (di /dt) T cr f = 50 Hz, i = 1 A, di /dt = 1 A/s GM G critical rate of rise of on-state current Kritische Spannungssteilheit T = T , v = 0,67 V (dv /dt) vj vj max D DRM D cr th 1000 V/s critical rate of rise of off-state voltage 6.Kennbuchstabe / 6 letter F Charakteristische Werte / Characteristic values 1,53 V Durchlaspannung T = T , i = 1700 A v max. vj vj max T T on-state voltage 0,9V Schleusenspannung T = T V vj vj max (TO) threshold voltage 0,27 m Ersatzwiderstand T = T r vj vj max T slope resistance Zndstrom T = 25C, v = 6 V I max. 250 mA vj D GT gate trigger current Zndspannung T = 25C, v = 6 V V max. 2,2 V vj D GT gate trigger voltage Nicht zndender Steuerstrom T = T , v = 6 V I max. 10 mA vj vj max D GD max. gate non-trigger current T = T , v = 0,5 V 5 mA vj vj max D DRM Nicht zndende Steuerspannung T = T , v = 0,5 V V max. 0,25V vj vj max D DRM GD gate non-trigger voltage Haltestrom T = 25C, v = 6 V, R = 5 I max. 300mA vj D A H holding current Einraststrom T = 25C, v = 6 V, R 10 I max. 1500mA vj D GK L latching current i = 1 A, di /dt = 1 A/s, t = 20 s GM G g Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom T = T i , i max. 100mA vj vj max D R forward off-state and reverse current v = V , v = V D DRM R RRM Zndverzug DIN IEC 747-6 t max. 4s gd gate controlled delay time T = 25 C,i = 1 A, di /dt = 1 A/s vj GM G C.Drilling date of publication: 11.03.2004 prepared by: revision: 3 approved by: M. Leifeld BIP AC / 2004-03-11 C. Drilling A 11/04 Seite/page 1/12 Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor-Modul TZ500N Phase Control Thyristor Module Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit T = T , i = I t vj vj max TM TAVM q circuit commutated turn-off time v = 100 V, v = 0,67 V RM DM DRM dv /dt = 20 V/s, -di /dt = 10 A/s D T th 5.Kennbuchstabe / 5 letter O typ. 250 s Isolations-Prfspannung RMS, f = 50 Hz, t = 1 min V 3,0 kV ISOL insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec kV 3,6 Thermische Eigenschaften / Thermal properties Thermische Eigenschaften Innerer Wrmewiderstand pro Modul / per Module, = 180 sin R max. 0,065 C/W thJC pro Modul / per Module, DC max. 0,062 C/W thermal resistance, junction to case pro Modul / per Module max. 0,02 C/W bergangs-Wrmewiderstand R thCH thermal resistance, case to heatsink 125 C Hchstzulssige Sperrschichttemperatur T vj max maximum junction temperature Betriebstemperatur T -40...+125C c op operating temp erature Lagertemperatur T -40...+130 C stg storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Mechanische Eigenschaften Gehuse, siehe Anlage Seite 3 case, see annex page 3 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Innere Isolation AlN internal insulation Anzugsdrehmoment fr mechanische Anschlsse Toleranz / Tolerance 15% M1 5 Nm mounting torque Anzugsdrehmoment fr elektrische Anschlsse Toleranz / Tolerance 10% M2 12 Nm terminal connection torque Steueranschlsse DIN 46 244 A 2,8 x 0,8 control terminals Gewicht G typ. 900g weight Kriechstrecke 15mm creepage distance Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s vibration resistance file-No. E 83336 Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BIP AC / 2004-03-11 C. Drilling A 11/04 Seite/page 2/12