Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor-Modul TZ530N Phase Control Thyristor Module TZ530N Kenndaten Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Elektrische Eigenschaften Hchstzulssige Werte / Maximum rated values 3000 3200 V Periodische Vorwrts- und Rckwrts-Spitzensperrspannung T = -40C... T V ,V vj vj max DRM RRM 3400 3600 V repetitive peak forward off-state and reverse voltages 3000 3200 V Vorwrts-Stospitzensperrspannung T = -40C... T V vj vj max DSM 3400 3600 V non-repetitive peak forward off-state voltage 3100 3300 V Rckwrts-Stospitzensperrspannung T = +25C... T V vj vj max RSM 3500 3700 V non-repetitive peak reverse voltage 1500 A Durchlastrom-Grenzeffektivwert I TRMSM maximum RMS on-state current 530 A Dauergrenzstrom T = 85C I C TAVM 955 A average on-state current T = 30C C 22.000 A Stostrom-Grenzwert T = 25 C, t = 10 ms I vj P TSM 20.000 A surge current T = T , t = 10 ms vj vj max P 2.420.000 As Grenzlastintegral T = 25 C, t = 10 ms It vj P 2.000.000 As It-value T = T , t = 10 ms vj vj max P DIN IEC 747-6 80 A/s Kritische Stromsteilheit (di /dt) T cr f = 50 Hz, i = 1 A, di /dt = 1 A/s GM G critical rate of rise of on-state current Kritische Spannungssteilheit T = T , v = 0,67 V (dv /dt) vj vj max D DRM D cr th 500 V/s critical rate of rise of off-state voltage 6.Kennbuchstabe / 6 letter C th 1000 V/s 6.Kennbuchstabe / 6 letter F Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung T = T , i = 3000 A v max. 2,65 V vj vj max T T on-state voltage Schleusenspannung T = T V 1,05 V vj vj max (TO) threshold voltage Ersatzwiderstand T = T r 0,49 m vj vj max T slope resistance Zndstrom T = 25C, v = 6 V I max. 250 mA vj D GT gate trigger current Zndspannung T = 25C, v = 6 V V max. 2V vj D GT gate trigger voltage Nicht zndender Steuerstrom T = T , v = 6 V I max. 10 mA vj vj max D GD max. gate non-trigger current T = T , v = 0,5 V 5 mA vj vj max D DRM Nicht zndende Steuerspannung T = T , v = 0,5 V V max. 0,25 V vj vj max D DRM GD gate non-trigger voltage Haltestrom T = 25C, v = 6 V, R = 5 I max. 500 mA vj D A H holding current Einraststrom T = 25C, v = 6 V, R 10 I max. 2500 mA vj D GK L latching current i = 1 A, di /dt = 1 A/s, t = 20 s GM G g Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom T = T i , i max. 250 mA vj vj max D R forward off-state and reverse current v = V , v = V D DRM R RRM Zndverzug DIN IEC 747-6 t max. 4 s gd gate controlled delay time T = 25 C,i = 1 A, di /dt = 1 A/s vj GM G C.Drilling date of publication: 06.03.03 prepared by: revision: 1 approved by: J. Novotny BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rther A 17/00 Seite/page 1/12Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor-Modul TZ530N Phase Control Thyristor Module Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit T = T , i = I t vj vj max TM TAVM q circuit commutated turn-off time v = 100 V, v = 0,67 V RM DM DRM dv /dt = 20 V/s, -di /dt = 10 A/s D T th 5.Kennbuchstabe / 5 letter O typ. 400 s Isolations-Prfspannung RMS, f = 50 Hz, t = 1 min V 3,0 kV ISOL insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec kV 3,6 Thermische Eigenschaften / Thermal properties Thermische Eigenschaften pro Modul / per Module, = 180 sin R max. 0,0450 C/W Innerer Wrmewiderstand thJC pro Modul / per Module, DC max. 0,0435 C/W thermal resistance, junction to case pro Modul / per Module max. 0,01 C/W bergangs-Wrmewiderstand R thCH thermal resistance, case to heatsink 125 C Hchstzulssige Sperrschichttemperatur T vj max maximum junction temperature Betriebstemperatur T -40...+125 C c op operating temperature Lagertemperatur T -40...+130 C stg storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Mechanische Eigenschaften Gehuse, siehe Anlage Seite 3 case, see annex page 3 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Innere Isolation AlN internal insulation Anzugsdrehmoment fr mechanische Anschlsse Toleranz / Tolerance 15% M1 6 Nm mounting torque Anzugsdrehmoment fr elektrische Anschlsse Toleranz / Tolerance 10% M2 18 Nm terminal connection torque Steueranschlsse DIN 46 244 A 2,8 x 0,8 control terminals Gewicht G typ. 2750 g weight Kriechstrecke 36 mm creepage distance Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s vibration resistance file-No. E 83336 Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BIP AC / 00-08-21, K.-A. Rther A 17/00 Seite/page 2/12