BPW 34 B OSRAM

2014-07-17 Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity in SMT Silizium-PIN-Fotodiode mit erhhter Blauempfindlichkeit in SMT Version 1.2 BPW 34 B, BPW 34 BS BPW 34 B BPW 34 BS Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 350 nm to Speziell geeignet fr Anwendungen im Bereich von 1100 nm 350 nm bis 1100 nm Short switching time (typ. 25 ns) Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns) DIL plastic package with high packing density DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte Applications Anwendungen Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer 2 = 400 nm, E = 1 mW/cm , V = 5 V e R I A P BPW 34 B 14.8 ( 10.8) Q62702P0945 BPW 34 BS 14.8 ( 10.8) Q65110A2625 2014-07-17 1Version 1.2 BPW 34 B, BPW 34 BS Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range T T -40 ... 85 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V 32 V R Sperrspannung Total power dissipation P 150 mW tot Verlustleistung Electrostatic discharge V 2000 V ESD Elektrostatische Entladung (acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-001 - HBM) Characteristics (T = 25 C) A Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Spectral sensitivity S 75 nA/Ix Fotoempfindlichkeit (V = 5 V, standard light A, T = 2856 K) R Photocurrent I 14.8 ( 10.8) A P Fotostrom Wavelength of max. sensitivity 850 nm S max Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity 350 ... 1100 nm 10% Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 2 Radiant sensitive area A 7.45 mm Bestrahlungsempfindliche Flche Dimensions of radiant sensitive area L x W 2.73 x 2.73 mm x Abmessung der bestrahlungsempfindlichen mm Flche Half angle 60 Halbwinkel Dark current I 2 ( 30) nA R Dunkelstrom (V = 10 V) R 2014-07-17 2