2007-04-18 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BP 104 FAS Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from Speziell geeignet fr Anwendungen im Bereich von 730 nm... 1100 nm 730 nm bis 1100 nm Short switching time (typ. 20 ns) Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) Suitable for SMT SMT-fhig Applications Anwendungen Photointerrupters Lichtschranken IR remote control of hi-fi and TV sets, video tape IR-Fernsteuerung von Fernseh- und recorders, dimmers, remote controls of various Rundfunkgerten, Videorecordern, Lichtdimmern, equipment Gertefernsteuerungen Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer 2 = 870 nm, E = 1 mW/cm , V = 5 V e R I A P BP 104 FAS 34 ( 25) Q65110A2672 2007-04-18 1Version 1.0 BP 104 FAS Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range T T -40 ... 100 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V 20 V R Sperrspannung Total power dissipation P 150 mW tot Verlustleistung Characteristics (T = 25 C) A Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Photocurrent I 34 ( 25) A P Fotostrom 2 (V = 5 V, = 870 nm, E = 1 mW/cm ) R e Wavelength of max. sensitivity 880 nm S max Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity 730 ... 1100 nm 10% Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 2 Radiant sensitive area A4.84 mm Bestrahlungsempfindliche Flche Dimensions of radiant sensitive area L x W 2.2 x 2.2 mm x Abmessung der bestrahlungsempfindlichen mm Flche Half angle 60 Halbwinkel Dark current I 2 ( 30) nA R Dunkelstrom (V = 10 V) R Spectral sensitivity of the chip S 0.63 A / W typ Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips ( = 870 nm) Quantum yield of the chip 0.90 Electro Quantenausbeute des Chips ns ( = 870 nm) /Photon 2007-04-18 2