BP 104 SR-Z OSRAM

2012-10-15 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 BP 104 S, BP 104 SR BP 104 S BP 104 SR Features: Besondere Merkmale: Suitable for reflow soldering Geeignet fr Reflow Lten Especially suitable for applications from 400 nm to Besonders geeignet fr Anwendungen im Bereich 1100 nm von 400 nm bis 1100 nm Short switching time (typ. 20 ns) Kurze Schaltzeit Suitable for SMT SMT-fhig Applications Anwendungen Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln IR remote control of hi-fi and TV sets, video tape IR-Fernsteuerung von Fernseh- und recorders, dimmers, remote controls of various Rundfunkgerten, Videorecordern, Lichtdimmern, equipment Gertefernsteuerungen Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer E = 1000 lx, Std. Light A, V = 5 V v R I A P BP 104 S 55 ( 40) Q65110A2626 BP 104 SR 55 ( 40) Q65110A4262 2012-10-15 1Version 1.0 BP 104 S, BP 104 SR Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range T T -40 ... 100 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V 20 V R Sperrspannung Total power dissipation P 150 mW tot Verlustleistung Characteristics (T = 25 C) A Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Photocurrent I 55 ( 40) A P Fotostrom (E = 1000 lx, Std. Light A, V = 5 V) v R Wavelength of max. sensitivity 850 nm S max Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity 400 ... 1100 nm 10% Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 2 Radiant sensitive area A4.84 mm Bestrahlungsempfindliche Flche Dimensions of radiant sensitive area L x W 2.2 x 2.2 mm x Abmessung der bestrahlungsempfindlichen mm Flche Half angle 60 Halbwinkel Dark current I 2 ( 30) nA R Dunkelstrom (V = 10 V) R Spectral sensitivity of the chip S 0.62 A / W typ Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips ( = 850 nm) Quantum yield of the chip 0.90 Electro Quantenausbeute des Chips ns ( = 850 nm) /Photon 2012-10-15 2