Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter in SMT Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale Features Speziell geeignet fr Anwendungen bei 950 nm Especially suitable for applications of 950 nm Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) Short switching time (typ. 20 ns) DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte DIL plastic package with high packing density Anwendungen Applications IR-Fernsteuerung von Fernseh- und IR remote control of hi-fi and TV sets, video Rundfunkgerten, Videorecordern, tape recorders, dimmers, remote controls of Lichtdimmern, Gertefernsteuerungen various equipment Lichtschranken fr Gleich- und Photointerrupters Wechsellichtbetrieb Typ Bestellnummer Type Ordering Code BP 104 F Q62702-P0084 BP 104 FS Q65110-A2627 2009-04-07 1 BP 104 F, BP 104 FS Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Symbol Wert Einheit Parameter Symbol Value Unit Betriebs- und Lagertemperatur T T 40 + 100 C op stg Operating and storage temperature range Sperrspannung V 20 V R Reverse voltage Verlustleistung, T = 25 C P 150 mW A tot Total power dissipation Kennwerte (T = 25 C, = 950 nm) A Characteristics Bezeichnung Symbol Wert Einheit Parameter Symbol Value Unit Fotostrom I 34 ( 25) A P Photocurrent 2 V = 5 V, E = 1 mW/cm R e Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit 950 nm S max Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 800 1100 nm S = 10 % von S max Spectral range of sensitivity S = 10 % of S max 2 Bestrahlungsempfindliche Flche 4.84 mm A Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Flche L B 2.20 2.20 mm mm Dimensions of radiant sensitive area L W Halbwinkel 60 Grad Half angle deg. Dunkelstrom, V = 10 V I 2 ( 30) nA R R Dark current Spektrale Fotoempfindlichkeit S 0.70 A/W Spectral sensitivity Quantenausbeute 0.90 Electrons Quantum yield Photon 2 Leerlaufspannung, E = 0.5 mW/cm V 330 ( 250) mV e O Open-circuit voltage 2009-04-07 2