Q65110A2512 OSRAM

20013-01-16 GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehuse Version 1.0 (not for new design) SFH 426 Features: Besondere Merkmale: Replacement: SFH 4256 Ersatz: SFH 4256 Very highly efficient GaAIAs-LED GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability Hohe Zuverlssigkeit High pulse handling capability Hohe Impulsbelastbarkeit Suitable for surface mounting (SMT) Oberflchenmontage geeignet Available on tape and reelAvailable on tape and Gegurtet lieferbar reel SFH 426 same package as SFH 325 SFH 426 Gehusegleich mit SFH 325 Good linearity at high currents Gute Lineraitt bei hohen Strmen Applications Anwendungen Miniature photointerrupters Miniaturlichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen/Steuern/Regeln Automotive technology Automobiltechnik Sensor technology Sensorik Alarm and safety equipment Alarm- und Sicherungssysteme IR free air transmission IR-Freiraumbertragung Notes Hinweise Depending on the mode of operation, these devices Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile emit highly concentrated non visible infrared light hochkonzentrierte, nicht sichtbare which can be hazardous to the human eye. Products Infrarot-Strahlung, die gefhrlich fr das which incorporate these devices have to follow the menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC Bauteile enthalten, mssen gem den 62471. Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471 behandelt werden. 20013-01-16 1Version 1.0 (not for new design) SFH 426 Ordering Information Bestellinformation Type: Radiant Intensity Ordering Code Typ: Strahlstrke Bestellnummer I = 100 mA, t = 20 ms F p I mW/sr e SFH 426 7 ( 4) Q65110A2512 Note: Measured at a solid angle of = 0.01 sr Anm:: Gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operation and storage temperature range T T -40 ... 100 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V 5V R Sperrspannung Forward current I 100 mA F Durchlassstrom Surge current I 2.5 A FSM Stostrom (t 10 s, D = 0) p Total power dissipation P 180 mW tot Verlustleistung 1) page 13 Thermal resistance junction - ambient R 450 K / W thJA Wrmewiderstand Sperrschicht - Umgebung 1) Seite 13 Thermal resistance junction - soldering point R 200 K / W thJS 2) page 13 2) Seite 13 Wmewiderstand Sperrschicht - Ltstelle 20013-01-16 2