2010-12-15 OSRAM OSTAR Observation (850nm) Version 1.0 SFH 4740 Features: Besondere Merkmale: White frame to achieve high optical power Weier Rahmen fr hohe Lichtleistung 4.3 W optical power at I =1A 4.3 W optical power at I =1A F F 2 2 Active chip area 2.1 x 5.4 mm Aktive Chipflche 2.1 x 5.4 mm Max. DC-current 1 A Max. Gleichstrom 1 A Low thermal resistance (2.8 K / W) Niedriger Wrmewiderstand (2.8 K / W) ESD safe up to 2 kV acc. to ANSI/ESDA/JEDEC ESD sicher bis 2 kV nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2011 JS-001-2011 The product qualification test plan is based on the Die Produktqualifikation wurde basierend auf der guidelines of AEC-Q101-REV-C, Stress Test Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors. Semiconductors, durchgefhrt. Applications Anwendungen Infrared Illumination for cameras Infrarotbeleuchtung fr Kameras Surveillance systems berwachungssysteme IR data transmission IR Datenbertragung Notes Hinweise Depending on the mode of operation, these devices Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile emit highly concentrated non visible infrared light hochkonzentrierte, nicht sichtbare which can be hazardous to the human eye. Products Infrarot-Strahlung, die gefhrlich fr das which incorporate these devices have to follow the menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC Bauteile enthalten, mssen gem den 62471. Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471 behandelt werden. 2010-12-15 1Version 1.0 SFH 4740 Ordering Information Bestellinformation Type: Radiant Intensity Ordering Code Typ: Strahlstrke Bestellnummer I = 1 A, t = 20 ms F p I mW/sr e SFH 4740 1400 ( 1000) Q65110A6190 Note: measured at a solid angle of = 0.01 sr Anm:: gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr Maximum Ratings (T = 25 C (Base plate temperature)) B Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operation and storage temperature range T T -40 ... 125 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Junction temperature T 145 C j Sperrschichttemperatur Reverse voltage V 0.5 V R Sperrspannung Forward current I 1000 mA F Vorwrtsgleichstrom (T 90 C, Backside of the base plate) B Surge current I 5A FSM Stostrom (t 3 ms, D = 0) p Power consumption P 19 W tot Leistungsaufnahme (T 90 C, Backside of the base plate) B Thermal power-dissipation P 15.4 W th Thermische Verlustleistung (T 90 C, Backside of the base plate) B Thermal resistance junction - base plate R 2.8 K / W thJB Wrmewiderstand Sperrschicht - Bodenplatte 2010-12-15 2