Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT DD B6U 104 N 16 RR N B6 Diode Module with Chopper-IGBT Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode T = - 40C...T Periodische Spitzensperrspannung vj vj max V 1600 V RRM repetitive peak reverse voltage Durchlastrom-Grenzeffektivwert (pro Element) I 60 A FRMSM RMS forward current (per chip) T = 100C Ausgangsstrom C I 105 A d output current Stostrom-Grenzwert T = 25C, t = 10ms I 650 A vj p FSM T = T , t = 10ms surge forward current vj vj max p 550 A Grenzlastintegral T = 25C, t = 10ms It 2100 As vj p It-value Tvj = Tvj max, tp = 10ms 1500 As IGBT Kollektor-Emitter-Sperrspannung V 1200 V CES collector-emitter voltage T = 80C Kollektor-Dauergleichstrom C I 50 A C DC-collector current Periodischer Kollektor-Spitzenstrom tp = 1ms I 100 A CRM repetitive peak collektor current T = 25C Gesamt-Verlustleistung C P 350 W tot total power dissipation Gate-Emitter Spitzenspannung V 20 V GE gate-emitter peak voltage Schnelle Diode / Fast diode Periodische Spitzensperrspannung V 1200 V RRM repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom TC = 80C I 25 A F DC forward current t = 1ms Periodischer Spitzenstrom p I 50 A FRM repetitive peak forward current Modul Isolations-Prfspannung RMS, f = 50Hz, t = 1min V 2,5 kV ISOL NTC connected to baseplate insulation test voltage Charakteristische Werte / Characteristic values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode min. typ. max. Durchlaspannung Tvj = Tvj max, iF = 100A v 1,30 V F forward voltage T = T Schleusenspannung vj vj max V 0,75 V (TO) threshold voltage Ersatzwiderstand Tvj = Tvj max r 5,5 m T forward slope resistance T = T v V Sperrstrom vj vj max, R = RRM i 5 mA R reverse current Modul Leitungswiderstand, Anschlsse-Chip TC = 25C R 1 m AA +KK lead resistance, terminals-chip prepared by: Ralf Jrke date of publication: 13.12.2000 approved by: Lothar Kleber revision: 1 BIP AM R. Jrke 14. Dez 00 A 33/00 Seite/page 1(12)Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT DD B6U 104 N 16 RR N B6 Diode Module with Chopper-IGBT Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values IGBT min. typ. max. T = 25C, i = 50A, v = 15V Kollektor-Emitter Sttigungsspannung vj C GE v 2,10 2,80 V CE sat T = 125C, i = 50A, v = 15V collector-emitter saturation voltage vj C GE 2,5 T = 25C, i = 2mA, v = v Gate-Emitter-Schwellspannung vj C GE CE v 4,5 5,5 6,5 V GE(TO) gate-emitter threshold voltage T = 25C, f = 1MHz, Eingangskapazitt vj 0 C 3,3 nF ies v = 25V, v = 0V input capacitance CE GE T = 25C, v = 1200V, v = 0V Kollektor-Emitter Reststrom vj CE GE i 0,8 1 mA CES T = 125C, v = 1200V, v = 0V collector-emitter cut-off current vj CE GE 4,0 T = 25C, v = 0V, v = 20V Gate-Emitter Reststrom vj CE GE i 500 nA GES gate leakage current T = 25C, v = 0V, v = 20V Emitter-Gate Reststrom vj CE EG i 500 nA EGS gate-leakage current Schnelle Diode / Fast diode T = 25C, i = 25A Durchlaspannung vj F v 1,7 2,20 V F T = 125C, i = 25A forward voltage vj F 1,6 i = 25A, -di/dt = 800A/s, v = 600V Sperrverzgerungsladung FM R Q r T = 25C recovered charge vj 2,3 As T = 125C vj 6,0 As Thermische Eigenschaften / Thermal properties Gleichrichter / Rectifier, = 120rect Innerer Wrmewiderstand R max. 1,08 C/W thJC Transistor / Transistor, DC max. 0,38 C/W Schnelle Diode / Fast diode, DC max. 1,00 C/W Gleichrichter / Rectifier bergangs-Wrmewiderstand R max. 0,25 C/W thCK thermal resistance, case to heatsink Transistor / Transistor max. 0,24 C/W Schnelle Diode / Fast diode max. 0,30 C/W Hchstzulssige Sperrschichttemperatur T 150 C vj max max. junction temperature Betriebstemperatur T - 40...+150 C c op operating temperature Lagertemperatur T - 40...+150 C stg storage temperature BIP AM R. Jrke 14. Dez 00 Seite/page 2(12)