NTE2323 Silicon NPN Transistor Quad, Amplifier Absolute Maximum Ratings: CollectorEmitter Voltage, V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V CEO CollectorBase Voltage, V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V CBO EmitterBase Voltage, V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V EBO Continuous Collector Current, I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA C Total Device Dissipation (T = +25C, Each Die), P . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.75W A D Derate Above 25C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.98mW/C Total Device Dissipation (T = +25C, Four Die Equal Power), P . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.7W A D Derate Above 25C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13.6mW/C Operating Junction Temperature Range, T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55 to +150C J Storage Temperature Range, T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55 to +150C stg Thermal Reistance, JunctiontoAmbient, R thJA Each Die . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167C/W Effective, 4 Die . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73.5C/W Thermal Reistance, JunctiontoCase, R thJC Each Die . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100C/W Effective, 4 Die . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39C/W Coupling Factors, JunctiontoAmbient Q1Q4 or Q2Q3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56% Q1Q2 or Q3Q4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10% Coupling Factors, JunctiontoCase Q1Q4 or Q2Q3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46% Q1Q2 or Q3Q4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5% Electrical Characteristics: (T = +25C unless otherwise specified) A Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit OFF Characteristics CollectorEmitter Breakdown Voltage V I = 1mA, I = 0 200 V (BR)CEO C B CollectorBase Breakdown Voltage V I = 100 A, I = 0 20 V (BR)CBO C E EmitterBase Breakdown Voltage V I = 100 A, I = 0 5 V (BR)EBO E C Collector Cutoff Current I V = 150V, I = 0 100 nA CBO CB EElectrical Characteristics (Contd): (T = +25C unless otherwise specified) A Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit ON Characteristics DC Current Gain h V = 10V, I = 1mA 25 45 FE CE C V = 10V, I = 10mA 40 60 CE C V = 10V, I = 30mA 40 80 CE C CollectorEmitter Saturation Voltage V I = 20mA, I = 2mA 0.3 0.5 V CE(sat) C B BaseEmitter Saturation Voltage V I = 20mA, I = 2mA 0.7 0.9 V BE(sat) C B Current GainBandwidth Product f V = 20V, I = 10mA, f = 100MHz 50 80 MHz T CE C Output Capacitance C V = 20V, I = 0, f = 1MHz 2.5 5.0 pF obo CB E Input Capacitance C V = 3V, I = 0, f = 1MHz 40 50 pF ibo EB C Pin Connection Diagram Collector 1 14 Collector Base 2 13 Base Emitter 3 12 Emitter N.C. 4 11 N.C. Emitter 5 10 Emitter Base 6 9 Base Collector 7 8 Collector 14 8 17 .785 (19.95) Max .300 (7.62) .200 (5.08) Max .099 (2.5) Min .100 (2.45) .600 (15.24)