Q65110-A2506 OSRAM

2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 3204 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450 ... 1120 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: nm (typ) 450 ... 1120 nm Package: Micro SIDELED Gehuse: Micro SIDELED Special: Large viewing angle 60 Besonderheit: Groer Empfangswinkel 60 Applications Anwendungen Miniature photointerrupters Miniatur Lichtschranken Sensor technology (e.g. mobile phone) Sensorik (z.B. Handy) For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer 2 = 950 nm, E = 0.1 mW/cm , V = 5 V e CE I A PCE SFH 3204 32 Q65110A2506 2014-01-14 1Version 1.1 SFH 3204 Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range T T -40 ... 100 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Collector-emitter voltage V 15 V CE Kollektor-Emitter-Spannung Collector-emitter voltage V 30 V CE Kollektor-Emitter-Spannung (t < 2 min) Collector current I 15 mA C Kollektorstrom Collector surge current I 75 mA CS Kollektorspitzenstrom ( < 10 s) Emitter-collector voltage V 7V EC Emitter-Kollektor-Spannung Characteristics (T = 25 C) A Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Wavelength of max. sensitivity 920 nm S max Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity 450 ... 1120 nm 10% Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 2 Radiant sensitive area A0.04 mm Bestrahlungsempfindliche Flche Dimensions of chip area L x W 0.38 x 0.38 mm x Abmessung der Chipflche mm Half angle 60 Halbwinkel Capacitance C 2.4 pF CE Kapazitt (V = 0 V, f = 1 MHz, E = 0) CE Photocurrent I 32 A PCE Fotostrom 2 ( = 950 nm, E = 0.1 mW/cm , V = 5 V) e CE 2014-01-14 2