SFH 221 OSRAM

Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode SFH 221 Wesentliche Merkmale Features Speziell geeignet fr Anwendungen im Bereich Especially suitable for applications from von 400 nm bis 1100 nm 400 nm to 1100 nm Hohe Fotoempfindlichkeit High photosensitivity Hermetisch dichte Metallbauform (hnlich Hermetically sealed metal package (similar to TO-5), geeignet bis 125 C TO-5), suitable up to 125 C Doppeldiode von extrem hoher Double diode with extremely high Gleichmigkeit homogeneousness Anwendungen Applications Nachlaufsteuerungen Follow-up controls Kantenfhrung Edge drives Industrieelektronik Industrial electronics Messen/Steuern/Regeln For control and drive circuits Typ Bestellnummer Gehuse Type Ordering Code Package 2 SFH 221 Q62702-P270 Ltspiee im 5.08-mm-Raster ( /10) 2 solder tabs 5.08 mm ( /10) lead spacing 2001-02-22 1SFH 221 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Symbol Wert Einheit Parameter Symbol Value Unit Betriebs- und Lagertemperatur T T 40 + 125 C op stg Operating and storage temperature range Lttemperatur (Ltstelle 2 mm vom Gehuse T 230 C S entfernt bei Ltzeit t 3s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t 3s) Sperrspannung V 10 V R Reverse voltage Isolationsspannung gegen Gehuse V 100 V IS Insulation voltage vs. package Verlustleistung, T = 25 C P 50 mW A tot Total power dissipation Kennwerte (T = 25 C, Normlicht A, T = 2856 K) fr jede Einzeldiode A Characteristics (T = 25 C, standard light A, T = 2856 K) per single diode A Bezeichnung Symbol Wert Einheit Parameter Symbol Value Unit Fotoempfindlichkeit, V = 5 V S 24 ( 15) nA/Ix R Spectral sensitivity Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit 900 nm S max Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 400 1100 nm S = 10% von S max Spectral range of sensitivity S = 10% of S max 2 Bestrahlungsempfindliche Flche A 1.54 mm Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Flche L B 0.7 2.2 mm Dimensions of radiant sensitive area L W Abstand Chipoberflche zu Gehuseoberflche H 1.1 1.6 mm Distance chip front to case surface Halbwinkel 55 Grad Half angle deg. 2001-02-22 2