2014-01-14 Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1.1 SFH 2504 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 740 nm to Speziell geeignet fr Anwendungen im Bereich von 1100 nm 740 nm bis 1100 nm 5 mm LED plastic package 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehuse Integrated NTC thermistor, R =10k Integrierter NTC, R =10k 25 25 Applications Anwendungen Temperature and light intensity measurement Temperatur und Lichtmessung Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer 2 V = 5 V, = 870 nm, E = 1 mW/cm R e I A P SFH 2504 AN23 2.7 ( 1.9) Q65110A3986 Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range T T -40 ... 100 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V 30 V R Sperrspannung Total power dissipation P 30 mW tot Verlustleistung 2014-01-14 1Version 1.1 SFH 2504 Characteristics (Photodiode -- T = 25C) A Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Photocurrent I 2.7 ( 1.9) A P Fotostrom 2 (V = 5 V, = 870 nm, E = 1 mW/cm ) R e Wavelength of max. sensitivity 870 nm S max Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity 740 ... 1100 nm 10% Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 2 Radiant sensitive area A0.31 mm Bestrahlungsempfindliche Flche Dimensions of radiant sensitive area L x W 0.56 x 0.56 mm x Abmessung der bestrahlungsempfindlichen mm Flche Half angle 60 Halbwinkel Dark current I 0.05 ( 5) nA R Dunkelstrom (V = 10 V) R Rise and fall time t , t 0.01 s r f Anstiegs- und Abfallzeit (V = 10 V, R = 50 , = 850 nm) R L Forward voltage V 1.2 V F Durchlassspannung (I = 100 mA, E = 0) F Capacitance C 13 pF 0 Kapazitt (V = 0 V, f = 1 MHz, E = 0) R Temperature coefficient of V TC -2.6 mV / K O V Temperaturkoeffizient von V O 2014-01-14 2