6 5 4 3 2 1 FR900R12IP4D D D PrimePACK3+ Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode PrimePACK3+ module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode 11, 13 5 4 C C 9 10 3 8 6 1 2 7 12, 14 B B V = 1200V CES I = 900A / I = 1800A C nom CRM Potentielle Anwendungen Potential Applications Chopper-Anwendungen Chopper applications Kanten: Zul. Abweichung: Oberfl che: Ma stab: Mat.-Nr.: Geschalteter Reluktanzantrieb Switched reluctance driveWerkstoff: ISO 13715 ISO 2768 - mK EN ISO 1302 Dokumentstatus: In Bearbeitung Hybrid-Nutzfahrzeuge Commercial Agriculture Vehicles Datum Name Benennung: Bearb. 08.05.2015 EU britwin Gepr. Ma bild A Motorantriebe Motor drives A Norm Schaltplan f r das Datenblatt Revision: Blatt-Nr.: 1 D00066262 00 A3 Elektrische Eigenschaften Electrical Features Revision nderungen Datum Name Modell: Ersatz f r: Ersetzt durch: DE 2.0 6 5 4 3 2 1 Alle Rechte bei INFINEON TECHNOLOGIES AG , auch f r den Fall von Schutzrechtanmeldungen. Hohe Kurzschlussrobustheit High short-circuit capability Hohe Stromdichte High current density Niedriges V Low V CEsat CEsat Tvj op = 150C Tvj op = 150C V mit positivem Temperaturkoeffizienten V with positive temperature coefficient CEsat CEsat Verstrkte Diode fr Rckspeisebetrieb Enlarged diode for regenerative operation Mechanische Eigenschaften Mechanical Features 4 kV AC 1min Isolationsfestigkeit 4 kV AC 1min insulation Gehuse mit CTI > 400 Package with CTI > 400 Groe Luft- und Kriechstrecken High creepage and clearance distances Hohe mechanische Robustheit High mechanical robustness Hohe Vibrationsfestigkeit High vibration resistance Integrierter NTC Temperatur Sensor Integrated NTC temperature sensor RoHS konform RoHS compliant Module Label Code Barcode Code 128 Content of the Code Digit Module Serial Number 1 - 5 Module Material Number 6 - 11 Production Order Number 12 - 19 DMX - Code Datecode (Production Year) 20 - 21 Datecode (Production Week) 22 - 23 Datasheet Please read the Important Notice and Warnings at the end of this document V 3.0 www.infineon.com 2019-07-12FR900R12IP4D IGBT, Brems-Chopper / IGBT, Brake-Chopper Hchstzulssige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25C V 1200 V vj CES Collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom TC = 100C, Tvj max = 175C ICDC 900 A Continuous DC collector current Periodischer Kollektor-Spitzenstrom t = 1 ms I 1800 A P CRM Repetitive peak collector current Gate-Emitter-Spitzenspannung VGES +/-20 V Gate-emitter peak voltage Charakteristische Werte / Characteristic Values min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sttigungsspannung IC = 900 A Tvj = 25C 1,70 2,05 V Collector-emitter saturation voltage V = 15 V T = 125C V 2,00 2,40 V GE vj CE sat Tvj = 150C 2,10 V Gate-Schwellenspannung IC = 33,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C VGEth 5,00 5,80 6,50 V Gate threshold voltage Gateladung V = -15 / 15 V Q 6,40 C GE G Gate charge Interner Gatewiderstand Tvj = 25C RGint 1,2 Internal gate resistor Eingangskapazitt f = 1000 kHz, T = 25C, V = 25 V, V = 0 V C 54,0 nF vj CE GE ies Input capacitance Rckwirkungskapazitt f = 1000 kHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 2,80 nF Reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter-Reststrom V = 1200 V, V = 0 V, T = 25C I 5,0 mA CE GE vj CES Collector-emitter cut-off current Gate-Emitter-Reststrom VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C IGES 400 nA Gate-emitter leakage current Einschaltverzgerungszeit, induktive Last IC = 900 A, VCE = 600 V Tvj = 25C 0,23 s t d on Turn-on delay time, inductive load V = -15 / 15 V T = 125C 0,26 s GE vj R = 1,2 T = 150C 0,27 s Gon vj Anstiegszeit, induktive Last IC = 900 A, VCE = 600 V Tvj = 25C 0,10 s t r Rise time, inductive load V = -15 / 15 V T = 125C 0,11 s GE vj R = 1,2 T = 150C 0,11 s Gon vj Abschaltverzgerungszeit, induktive Last I = 900 A, V = 600 V T = 25C 0,60 s C CE vj t d off Turn-off delay time, inductive load V = -15 / 15 V T = 125C 0,70 s GE vj R = 1,2 T = 150C 0,73 s Goff vj Fallzeit, induktive Last I = 900 A, V = 600 V T = 25C 0,14 s C CE vj t f Fall time, inductive load V = -15 / 15 V T = 125C 0,16 s GE vj R = 1,2 T = 150C 0,17 s Goff vj Einschaltverlustenergie pro Puls I = 900 A, V = 600 V, L = 45 nH T = 25C 53,0 mJ C CE vj Turn-on energy loss per pulse di/dt = 7800 A/s (T = 150C) T = 125C E 83,0 mJ vj vj on V = -15 / 15 V, R = 1,2 T = 150C 93,0 mJ GE Gon vj Abschaltverlustenergie pro Puls I = 900 A, V = 600 V, L = 45 nH T = 25C 140 mJ C CE vj Turn-off energy loss per pulse du/dt = 2700 V/s (T = 150C) T = 125C E 185 mJ vj vj off V = -15 / 15 V, R = 1,2 T = 150C 200 mJ GE Goff vj Kurzschluverhalten V 15 V, V = 800 V GE CC I SC SC data V = V -L di/dt t 10 s, T = 150C 3600 A CEmax CES sCE P vj Wrmewiderstand, Chip bis Gehuse pro IGBT / per IGBT RthJC 29,6 K/kW Thermal resistance, junction to case Wrmewiderstand, Gehuse bis Khlkrper pro IGBT / per IGBT R 13,9 K/kW thCH Thermal resistance, case to heatsink = 1 W/(mK) / = 1 W/(mK) Paste grease Temperatur im Schaltbetrieb Tvj op -40 150 C Temperature under switching conditions Datasheet 2 V 3.0 2019-07-12