BP 104 F OSRAM

2014-01-17 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.1 BP 104 F Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications of 950 nm Speziell geeignet fr Anwendungen bei 950 nm Short switching time (typ. 20 ns) Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) DIL plastic package with high packing density DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte Applications Anwendungen Photointerrupters Lichtschranken Remote control Fernsteuerung Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer 2 = 950 nm, E = 1 mW/cm , V = 5 V e R I A P BP 104 F 34 ( 25) Q62702P0084 Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range T T -40 ... 100 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V 20 V R Sperrspannung Total power dissipation P 150 mW tot Verlustleistung 2014-01-17 1Version 1.1 BP 104 F Characteristics (T = 25 C) A Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Photocurrent I 34 ( 25) A P Fotostrom 2 (V = 5 V, E = 1 mW/cm , = 950 nm) R e Wavelength of max. sensitivity 950 nm S max Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity 800 ... 1100 nm 10% Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 2 Radiant sensitive area A4.84 mm Bestrahlungsempfindliche Flche Dimensions of radiant sensitive area L x W 2.2 x 2.2 mm x Abmessung der bestrahlungsempfindlichen mm Flche Half angle 60 Halbwinkel Dark current I 2 ( 30) nA R Dunkelstrom (V = 10 V) R Spectral sensitivity of the chip S 0.7 A / W typ Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips ( = 950 nm) Quantum yield of the chip 0.91 Electro Quantenausbeute des Chips ns ( = 950 nm) /Photon Open-circuit voltage V 330 ( 250) mV O Leerlaufspannung 2 (E = 0.5 mW/cm , = 950 nm) e Short-circuit current I 17 A SC Kurzschlussstrom 2 (E = 0.5 mW/cm , = 950 nm) e Rise and fall time t , t 0.02 s r f Anstiegs- und Abfallzeit (R = 50 V = 5 V = 850 nm I = 800 A) L R p Forward voltage V 1.3 V F Durchlassspannung (I = 100 mA, E = 0) F 2014-01-17 2